Rasterelektronenmikroskopie - Versionsgeschichte

Posch am 15. Mai 2020 um 12:46 Uhr

2020-05-15T12:46:28Z

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	{{PSM_Infobox}}		{{PSM_Infobox}}
	<span style="font-size:1.2em;font-weight:bold;">Rasterelektronenmikroskopie</span>		<span style="font-size:1.2em;font-weight:bold;">Rasterelektronenmikroskopie</span> (Autor: Dr. A. Zankel)

	[[Datei:FELMI_ZFE.PNG\| 100px \|thumb \|[http://www.felmi-zfe.tugraz.at/ FELMI-ZFE]]]		[[Datei:FELMI_ZFE.PNG\| 100px \|thumb \|[http://www.felmi-zfe.tugraz.at/ FELMI-ZFE]]]
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	Eine spezielle Form des Rasterelektronenmikroskops ist das sogenannte [[Umgebungs-REM\|ESEM]] (Umgebungs-REM).		Eine spezielle Form des Rasterelektronenmikroskops ist das sogenannte [[Umgebungs-REM\|ESEM]] (Umgebungs-REM).

			'''Danksagung'''
			{\|
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			\|Die Herausgeber des Lexikons danken Dr. A. Zankel, [https://www.felmi-zfe.at/ Institut für Elektronenmikroskopie und Nanoanalytik (FELMI) und Zentrum für Elektronenmikroskopie (ZFE) Graz] für den Gastbeitrag.
			\|}

	'''Literaturhinweise'''		'''Literaturhinweise'''
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	[[Kategorie:Morphologie und Mikromechanik]]		[[Kategorie:Morphologie und Mikromechanik]]
			[[Kategorie:Gastbeiträge]]

Posch am 14. Mai 2020 um 12:40 Uhr

2020-05-14T12:40:23Z

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	\|-valign="top"		\|-valign="top"
	\|[3]		\|[3]
	\|Michler, G. H.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter F 1)		\|[[Michler,_Goerg_Hannes\|Michler, G. H.]]: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter F 1)
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	\|[4]		\|[4]

Oluschinski am 13. August 2019 um 07:10 Uhr

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	== Einleitung ==		== Einleitung ==

	Das '''R'''aster'''e'''lektronen'''m'''ikroskop - REM (engl.: „'''S'''canning '''E'''lectron '''M'''icroscope“: SEM) ermöglicht die Abbildung von [[Bruchfläche\|Probenoberflächen]], wobei eine bessere [[Auflösungsvermögen Mikroskop\|Auflösung]] (höhere Vergrößerung) und eine bessere [[Tiefenschärfe Mikroskop\|Schärfentiefe]] im Vergleich zum Lichtmikroskop erzielt werden kann ('''Bild 1''').		Das '''R'''aster'''e'''lektronen'''m'''ikroskop – REM (engl.: „'''S'''canning '''E'''lectron '''M'''icroscope“: SEM) ermöglicht die Abbildung von [[Bruchfläche\|Probenoberflächen]], wobei eine bessere [[Auflösungsvermögen Mikroskop\|Auflösung]] (höhere Vergrößerung) und eine bessere [[Tiefenschärfe Mikroskop\|Schärfentiefe]] im Vergleich zum Lichtmikroskop erzielt werden kann ('''Bild 1''').

	[[Datei:Rem.jpg\|350px]]		[[Datei:Rem.jpg\|350px]]
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	\|[4]		\|[4]
	\|Sawyer, L., Grubb, d., Meyers, G.: Polymer Microscopy. 3rd Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-0-387-72627-4)		\|Sawyer, L., Grubb, D., Meyers, G. F.: Polymer Microscopy. 3rd Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-0-387-72627-4)
	\|-valign="top"		\|-valign="top"
	\|[5]		\|[5]
	\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter D 5)		\|[[Ehrenstein,_Gottfried_W.\|Ehrenstein, G. W.]], Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter D 5)
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	\|[6]		\|[6]

Oluschinski am 15. August 2017 um 09:25 Uhr

2017-08-15T09:25:28Z

← Nächstältere Version		Version vom 15. August 2017, 11:25 Uhr
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	== Einleitung ==		== Einleitung ==

	Das '''R'''aster'''e'''lektronen'''m'''ikroskop - REM (engl.: „'''S'''canning '''E'''lectron '''M'''icroscope“: SEM) ermöglicht die Abbildung von Probenoberflächen, wobei eine bessere [[Auflösungsvermögen Mikroskop\|Auflösung]] (höhere Vergrößerung) und eine bessere Schärfentiefe im Vergleich zum Lichtmikroskop erzielt werden kann ('''Bild 1''').		Das '''R'''aster'''e'''lektronen'''m'''ikroskop - REM (engl.: „'''S'''canning '''E'''lectron '''M'''icroscope“: SEM) ermöglicht die Abbildung von [[Bruchfläche\|Probenoberflächen]], wobei eine bessere [[Auflösungsvermögen Mikroskop\|Auflösung]] (höhere Vergrößerung) und eine bessere [[Tiefenschärfe Mikroskop\|Schärfentiefe]] im Vergleich zum Lichtmikroskop erzielt werden kann ('''Bild 1''').

	[[Datei:Rem.jpg\|350px]]		[[Datei:Rem.jpg\|350px]]
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	== Abbildungsprinzip ==		== Abbildungsprinzip ==
	Eine Elektronenquelle (Wolframkathode, Lanthanhexaborid-Kathode oder Feldemissionskathode) erzeugt einen feinen Elektronenstrahl, der nach weiterer Verkleinerung mit Hilfe eines elektromagnetischen Linsensystems ein rechteckiges Feld auf einer ~~Probenoberfläche~~ punktweise abrastert (siehe '''Bild 2''').		Eine Elektronenquelle (Wolframkathode, Lanthanhexaborid-Kathode oder Feldemissionskathode) erzeugt einen feinen Elektronenstrahl, der nach weiterer Verkleinerung mit Hilfe eines elektromagnetischen Linsensystems ein rechteckiges Feld auf der [[Oberfläche]] einer Probe punktweise abrastert (siehe '''Bild 2''').

	[[Datei:Rem_abbildungsprinzip.jpg\|400px]]		[[Datei:Rem_abbildungsprinzip.jpg\|400px]]
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	In den Punkten erzeugt der einfallende Elektronenstrahl (Primärelektronen, PE) verschiedene Signale, die zur Bildentstehung genutzt werden können ('''Bild 3'''): Sekundärelektronen (SE), Rückstreuelektronen (RE), Röntgenstrahlung (X) etc. Voraussetzung für den ungehinderten Strahlengang der Elektronen ist ein Vakuum in der Probenkammer (Hochvakuum beim konventionellen REM, andere Vakuumbereiche beim ESEM).		In den Punkten erzeugt der einfallende Elektronenstrahl (Primärelektronen, PE) verschiedene Signale, die zur Bildentstehung genutzt werden können ('''Bild 3'''): Sekundärelektronen (SE), Rückstreuelektronen (RE), Röntgenstrahlung (X) etc. Voraussetzung für den ungehinderten Strahlengang der Elektronen ist ein Vakuum in der Probenkammer (Hochvakuum beim konventionellen REM, andere Vakuumbereiche beim ESEM (siehe: [[Umgebungs-REM]])).

	[[Datei:Rem_signale.jpg\|400px]]		[[Datei:Rem_signale.jpg\|400px]]
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	== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==		== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==

	Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit wird die Eigenschaft bezeichnet, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl (d. h. vom Material) des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z. B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z. B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von [[Polymer\|Homopolymeren]] und [[Polymerblends]] müssen diese (z. B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.		Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit wird die Eigenschaft bezeichnet, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl (d. h. vom Material) des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z. B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z. B. Polyethylen, [[Kurzzeichen]]: PE; Polypropylen, [[Kurzzeichen]]: PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von [[Polymer\|Homopolymeren]] und [[Polymerblends]] müssen diese (z. B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.

	[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]		[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]

Oluschinski am 23. Juni 2017 um 08:27 Uhr

2017-06-23T08:27:29Z

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			{{PSM_Infobox}}
	<span style="font-size:1.2em;font-weight:bold;">Rasterelektronenmikroskopie</span>		<span style="font-size:1.2em;font-weight:bold;">Rasterelektronenmikroskopie</span>

Reincke am 27. Oktober 2016 um 12:06 Uhr

2016-10-27T12:06:48Z

← Nächstältere Version		Version vom 27. Oktober 2016, 14:06 Uhr
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	== Abbildung mittels Sekundärelektronen (SE) ==		== Abbildung mittels Sekundärelektronen (SE) ==

	Sekundärelektronen sind niederenergetische Elektronen, die von den Primärelektronen des Elektronenmikroskops durch inelastische Streuung ausgelöst werden. Sie haben eine maximale Energie von 50 eV (Elektronenvolt) und können mit Hilfe einer Saugspannung leicht zu einem Detektor gelenkt werden. Aufgrund ihrer geringen Energie können sie nur aus dünnen Oberflächenschichten stammen, weshalb mit ihnen die beste Auflösung erzielt wird. Der Kontrast eines SE-Bildes wird hauptsächlich bestimmt von der Oberflächentopographie der Probe (Topographiekontrast, '''Bild 4a'''). Für Polymeruntersuchungen können somit morphologische Besonderheiten wie [[Sphärolithische Struktur\|Sphärolithe]] oder (z. B. im Rahmen der Fraktographie) [[Rissinitiierung\|Rissbildungen]] und [[Bruchfläche]]ntopographien untersucht werden.		Sekundärelektronen sind niederenergetische Elektronen, die von den Primärelektronen des Elektronenmikroskops durch inelastische Streuung ausgelöst werden. Sie haben eine maximale Energie von 50 eV (Elektronenvolt) und können mit Hilfe einer Saugspannung leicht zu einem Detektor gelenkt werden. Aufgrund ihrer geringen Energie können sie nur aus dünnen Oberflächenschichten stammen, weshalb mit ihnen die beste Auflösung erzielt wird. Der Kontrast eines SE-Bildes wird hauptsächlich bestimmt von der Oberflächentopographie der Probe (Topographiekontrast, '''Bild 4a'''). Für Polymeruntersuchungen können somit morphologische Besonderheiten wie [[Sphärolithische Struktur\|Sphärolithe]] oder (z. B. im Rahmen der [[Fraktographie]]) [[Rissinitiierung\|Rissbildungen]] und [[Bruchfläche]]ntopographien untersucht werden.

	== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==		== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==

Reincke am 13. Oktober 2016 um 13:04 Uhr

2016-10-13T13:04:06Z

← Nächstältere Version		Version vom 13. Oktober 2016, 15:04 Uhr
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	\|width="50px"\|'''Bild 1''':		\|width="50px"\|'''Bild 1''':
	\|width="600px" \|REM Zeiss Ultra 55 am Institut für Elektronenmikroskopie und ~~Feinstrukturforschung~~ der TU Graz, 2007; a: Elektronensäule, b: Probenkammer, c: Sekundärelektronendetektor, d: Rückstreuelektronendetektor; e: EDX-Detektor (Firma EDAX)		\|width="600px" \|REM Zeiss Ultra 55 am Institut für Elektronenmikroskopie und Nanoanalytik (FELMI) der TU Graz, 2007; a: Elektronensäule, b: Probenkammer, c: Sekundärelektronendetektor, d: Rückstreuelektronendetektor; e: EDX-Detektor (Firma EDAX)
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	\|width="50px"\|'''Bild 2''':		\|width="50px"\|'''Bild 2''':
	\|width="600px" \|Abbildungsprinzip eines REM; ~~Ein~~ feiner Elektronenstrahl rastert die Probenoberfläche ab und simultan werden die dabei entstehenden Signalintensitäten als Graustufen auf einem Bildschirm dargestellt (je stärker das Signal desto heller der Bildpunkt).		\|width="600px" \|Abbildungsprinzip eines REM; ein feiner Elektronenstrahl rastert die Probenoberfläche ab und simultan werden die dabei entstehenden Signalintensitäten als Graustufen auf einem Bildschirm dargestellt (je stärker das Signal desto heller der Bildpunkt).
	\|}		\|}

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	== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==		== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==

	Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit ~~ist~~ die Eigenschaft ~~gemeint~~, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher ~~also~~ die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z. B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z. B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von [[Polymer\|Homopolymeren]] und [[Polymerblends]] müssen diese (z. B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.		Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit wird die Eigenschaft bezeichnet, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl (d. h. vom Material) des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z. B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z. B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von [[Polymer\|Homopolymeren]] und [[Polymerblends]] müssen diese (z. B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.

	[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]		[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]
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	\|width="50px"\|'''Bild 4''':		\|width="50px"\|'''Bild 4''':
	\|width="600px" \|Elektronenmikroskopische Aufnahme der Bruchfläche eines glasfaserverstärkten Kunststoffes. a) SE Bild (Topographiekontrast, strukturelle Oberflächendetails werden wiedergegeben) b) RE Bild (Materialkontrast, Glas erscheint heller als Kunststoff)		\|width="600px" \|Elektronenmikroskopische Aufnahme der Bruchfläche eines glasfaserverstärkten Kunststoffes. a) SE-Bild (Topographiekontrast, strukturelle Oberflächendetails werden wiedergegeben) b) RE-Bild (Materialkontrast, Glas erscheint heller als Kunststoff)
	\|}		\|}

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	\|[3]		\|[3]
	\|Michler, G.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter F 1)		\|Michler, G. H.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter F 1)
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	\|[4]		\|[4]

Oluschinski am 18. April 2016 um 11:28 Uhr

2016-04-18T11:28:31Z

← Nächstältere Version		Version vom 18. April 2016, 13:28 Uhr
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	== Einleitung ==		== Einleitung ==

	Das '''R'''aster'''e'''lektronen'''m'''ikroskop - REM (engl.: „'''s'''canning '''e'''lectron '''m'''icroscope“: SEM) ermöglicht die Abbildung von Probenoberflächen, wobei eine bessere Auflösung (höhere Vergrößerung) und eine bessere Schärfentiefe im Vergleich zum Lichtmikroskop erzielt werden kann ('''Bild 1''').		Das '''R'''aster'''e'''lektronen'''m'''ikroskop - REM (engl.: „'''S'''canning '''E'''lectron '''M'''icroscope“: SEM) ermöglicht die Abbildung von Probenoberflächen, wobei eine bessere [[Auflösungsvermögen Mikroskop\|Auflösung]] (höhere Vergrößerung) und eine bessere Schärfentiefe im Vergleich zum Lichtmikroskop erzielt werden kann ('''Bild 1''').

	[[Datei:Rem.jpg\|350px]]		[[Datei:Rem.jpg\|350px]]
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	== Abbildung mittels Sekundärelektronen (SE) ==		== Abbildung mittels Sekundärelektronen (SE) ==

	Sekundärelektronen sind niederenergetische Elektronen, die von den Primärelektronen des Elektronenmikroskops durch inelastische Streuung ausgelöst werden. Sie haben eine maximale Energie von 50 eV (Elektronenvolt) und können mit Hilfe einer Saugspannung leicht zu einem Detektor gelenkt werden. Aufgrund ihrer geringen Energie können sie nur aus dünnen Oberflächenschichten stammen, weshalb mit ihnen die beste Auflösung erzielt wird. Der Kontrast eines SE-Bildes wird hauptsächlich bestimmt von der Oberflächentopographie der Probe (Topographiekontrast, '''Bild 4a'''). Für Polymeruntersuchungen können somit morphologische Besonderheiten wie Sphärolithe oder (z.B. im Rahmen der Fraktographie) Rissbildungen und ~~Bruchflächentopographien~~ untersucht werden.		Sekundärelektronen sind niederenergetische Elektronen, die von den Primärelektronen des Elektronenmikroskops durch inelastische Streuung ausgelöst werden. Sie haben eine maximale Energie von 50 eV (Elektronenvolt) und können mit Hilfe einer Saugspannung leicht zu einem Detektor gelenkt werden. Aufgrund ihrer geringen Energie können sie nur aus dünnen Oberflächenschichten stammen, weshalb mit ihnen die beste Auflösung erzielt wird. Der Kontrast eines SE-Bildes wird hauptsächlich bestimmt von der Oberflächentopographie der Probe (Topographiekontrast, '''Bild 4a'''). Für Polymeruntersuchungen können somit morphologische Besonderheiten wie [[Sphärolithische Struktur\|Sphärolithe]] oder (z. B. im Rahmen der Fraktographie) [[Rissinitiierung\|Rissbildungen]] und [[Bruchfläche]]ntopographien untersucht werden.

	== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==		== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==

	Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit ist die Eigenschaft gemeint, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher also die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z.B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z.B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von Homopolymeren und Polymerblends müssen diese (z.B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.		Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit ist die Eigenschaft gemeint, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher also die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z. B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z. B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von [[Polymer\|Homopolymeren]] und [[Polymerblends]] müssen diese (z. B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.

	[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]		[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]
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	\|[5]		\|[5]
	\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter D 5)		\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter D 5)
			\|-valign="top"
			\|[6]
			\|Michler, G. H.: Atlas of Polymer Structures. Morphology, Deformation and Fracture Structures. Carl Hanser Verlag, München (2016) (ISBN 978-1-56990-557-9; E-Book ISBN 978-1-56990-558-6; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter F 14)
	\|}		\|}

			[[Kategorie:Morphologie und Mikromechanik]]

Oluschinski am 28. April 2014 um 09:27 Uhr

2014-04-28T09:27:51Z

← Nächstältere Version		Version vom 28. April 2014, 11:27 Uhr
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	\|-valign="top"		\|-valign="top"
	\|[3]		\|[3]
	\|Michler, G.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [~~http://www.hs-merseburg.de/amk/index.php?option=com_joomlib&Itemid=85~~ AMK-Büchersammlung] unter F 1)		\|Michler, G.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter F 1)
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	\|[4]		\|[4]
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	\|[5]		\|[5]
	\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [~~http://www.hs-merseburg.de/amk/index.php?option=com_joomlib&Itemid=85~~ AMK-Büchersammlung] unter D 5)		\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [[AMK-Büchersammlung]] unter D 5)
	\|}		\|}

Oluschinski am 3. März 2014 um 10:00 Uhr

2014-03-03T10:00:15Z

← Nächstältere Version		Version vom 3. März 2014, 12:00 Uhr
Zeile 47:		Zeile 47:
	== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==		== Abbildung mittels Rückstreuelektronen (RE) ==

	Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100% der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit ist die Eigenschaft gemeint, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher also die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z.B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z.B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von Homopolymeren und Polymerblends müssen diese (z.B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.		Rückstreuelektronen sind höherenergetische Elektronen, die nach elastischen Streuprozessen im Probenmaterial dieses verlassen. Sie können bis zu 100 % der Energie der Primärelektronen haben. Typische moderne Detektoren sind sogenannte Halbleiterdetektoren, die direkt unter der Elektronensäule ('''Bild 3''') angeordnet werden. Der für RE-Bilder typische Kontrast ist der sogenannte „Materialkontrast“ ('''Bild 4b'''). Damit ist die Eigenschaft gemeint, dass die Ausbeute von RE von der mittleren Kernladungszahl des untersuchten Probenbereichs abhängt. Je höher also die mittlere Kernladungszahl eines Probenbereichs ist, desto mehr RE verlassen die Probenoberfläche, und umso heller wird der Probenbereich am Bildschirm dargestellt. Für Polymeruntersuchungen kann hiermit ein Füllstoff (z.B. Glasfasern, Talkum etc.) im Vergleich zur Matrix (z.B. PE, PP etc.) besser dargestellt werden. Zur Charakterisierung von Homopolymeren und Polymerblends müssen diese (z.B. mit Rutheniumtetroxid, Osmiumtetroxid etc.) kontrastiert werden.

	[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]		[[Datei:Rem_beispiel.jpg\|650px]]
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	\|Michler, G.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7~~) (~~siehe [http://www.hs-merseburg.de/amk/index.php?option=com_joomlib&Itemid=85 AMK-Büchersammlung] unter F 1)		\|Michler, G.: Electron Microscopy of Polymers. Springer Verlag, Berlin Heidelberg (2008) (ISBN 978-3-540-36350-7; siehe [http://www.hs-merseburg.de/amk/index.php?option=com_joomlib&Itemid=85 AMK-Büchersammlung] unter F 1)
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	\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1~~) (~~siehe [http://www.hs-merseburg.de/amk/index.php?option=com_joomlib&Itemid=85 AMK-Büchersammlung] unter D 5)		\|Ehrenstein, G., Engel, L., Klingele, H., Schaper, H.: SEM of Plastics Failure / REM von Kunststoffschäden. Carl Hanser Verlag, München (2011) (ISBN 978-3-446-42242-1; siehe [http://www.hs-merseburg.de/amk/index.php?option=com_joomlib&Itemid=85 AMK-Büchersammlung] unter D 5)
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